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| 资料类型： |
PDF文件
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| 关键词： |
多孔硅 微电子机械系统 腐蚀速率 孔隙率 残余应力 |
| 资料大小： |
172K |
| 所属学科： |
分子表征 |
| 来源： |
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议（9.12-9.16，北京.秦皇岛） |
| 简介： |
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针对多孔硅在MEMS中作为牺牲层和绝热层的应用，主要研究了电化学腐蚀法制备多孔硅的实验条件与多孔硅深度及其孔隙率间的关系，实验发现电化学腐蚀法制备多孔硅的腐蚀速率在腐蚀前期阶段基本是一定值(电流密度为80mA/cm2时为1.3&micro；m/min,电流密度为40mA/cm2时为0.4&micro；m/min)，但到腐蚀后期阶段随着孔深的增加有所下降。同时发现对于不同的腐蚀电流密度，多孔硅的孔隙率都有随腐蚀时间的延长先增加后降低的趋势，用Beale模型可以很好的解释这一现象。最后，针对多孔硅在制备后易发生龟裂的现象，用拉曼光谱分析了多孔硅的内部应力情况，结果表明随多孔硅孔隙率的上升其内部残余应力有增加的趋势。 |
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| 作者： |
崔梦 胡明 雷振坤 窦雁威 田斌
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| 上传时间： |
2007-07-12 12:18:01 |
| 下载次数： |
616 |
| 消耗积分： |
2
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